В Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова РАН (ИСВЧПЭ РАН) разработаны и изготовлены монолитные интегральные схемы (МИС) на основе нитрида галлия, способные работать в экстремальных условиях. Их можно использовать в приемо-передающих трактах радиолокационных станций ближнего действия (до 10 м) для применения в робототехнике или системах космического назначения.
Одной из главных проблем российской радиоэлектроники считается дефицит отечественных микросхем, способных работать в условиях космоса и повышенной радиации. Общая мировая тенденция показывает, что для создания следующего поколения радиолокационной аппаратуры и ее компонентов вместо кремния и арсенида галлия в качестве основного материала используется нитрид галлия. Благодаря более высокому пробивному напряжению электронные устройства на базе нитрида галлия позволяют получать более высокие удельные мощности. Кроме того, нитрид галлия обладает большей работоспособностью в области высоких температур и стойкостью к воздействию неблагоприятных внешних и специальных факторов.
Актуальная сфера применения такого рода электроники – радиолокационные станции (РЛС) ближнего действия как для автомобильных радаров (частота 24–26, 76–77 ГГц), так и для применения в робототехнике. Это направление активно развивается во всем мире.
Исходя из этих предпосылок в ИСВЧПЭ РАН были проведены работы по созданию МИС на нитриде галлия и сборке на их основе макетов приемо-передающих трактов (ППТ) радиолокационных станций ближнего действия (до 10 м) в диапазоне частот 22–25 ГГц. Важно отметить, что в данной разработке использовались технологии, которыми владеют российские предприятия. К примеру, рост нитрида галлия осуществлялся в НИЦ «Курчатовский институт», наногетероструктуры нитрида галлия на подложках сапфира изготавливало ЗАО «Элма-Малахит» (г. Москва, Зеленоград), технологические операции по созданию МИС проводились на оборудовании ИСВЧПЭ РАН.
http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id ... 96ec644ea8